长存预计NAND闪存短缺将持续三年-消费级存储市场被挤压 (长存控股预计什么时候发行)

长江存储（YMTC）预计，当前全球NAND闪存市场供应紧张的局面可能还将持续约三年。若该判断成立的话，NAND市场供需矛盾可能延续到2029年前后，SSD、手机及其他消费电子产品所使用的存储芯片价格仍可能长期处于高位。

这一判断来自长江存储近期与投资者和市场人士的交流。随着人工智能基础设施建设持续扩大，数据中心对高容量企业级SSD的需求快速增长，NAND闪存产能越来越多地被用于服务器和AI相关存储，传统消费电子市场可获得的供应则受到挤压。

目前这轮存储市场紧张并不仅限于NAND领域。DRAM同样面临严重的供不应求，而且AI加速器所使用的高带宽内存（HBM）正在占用越来越多晶圆产能。

长江存储本身也正在大幅扩大NAND产能。公司位于武汉的第三座晶圆厂预计2026年底开始运行，并在2027年逐步提高产量。与此同时，长江存储正在推进新的资本投入和生产线升级，希望进一步提高自身在全球NAND市场中的份额。

此前已有报道称，长江存储甚至计划在2027年底之前成为全球最大的NAND闪存制造商。目前三星仍占据全球NAND市场第一的位置，SK海力士及其旗下Solidigm紧随其后，而长江存储的全球市场份额已达相当规模。若其扩产计划顺利推进，全球市场地位可能在未来一年多时间里发生明显变化。

不过，单纯增加产能并不意味着全球存储市场能够迅速恢复平衡。NAND生产涉及晶圆厂建设、设备安装、工艺验证以及良率爬坡等多个环节，从决定投资到形成稳定的大规模产出往往需要数年时间。

与此同时，存储行业正在经历需求结构变化。过去NAND闪存最大需求来源之一是智能手机、PC以及普通消费级SSD，而现在数据中心正成为越来越重要的增长动力。AI服务器不仅需要大量HBM，也需要越来越大的高速存储容量来保存模型、数据集以及推理过程中产生的数据。

尤其是在大型AI集群中，单台服务器以及整个数据中心的存储容量远高于传统PC和手机。随着AI模型规模不断增加，对高容量企业级SSD的需求也随之提升，这使得传统意义上的“存储芯片过剩周期”变得更加难以预测。

当然，长江存储的预测并不意味着未来三年NAND价格一定会持续上涨。存储市场仍然高度周期性，需求变化、厂商扩产速度、AI资本支出以及消费电子市场表现，都可能改变最终供需平衡。特别是如果AI基础设施投资明显放缓，或者2027年之后大量新增NAND产能集中释放，市场仍可能重新进入供过于求状态。

但从目前各大存储厂商的表态来看，至少在2027年前后，全球存储市场仍很难恢复到过去几年那种宽松状态。

服务器内存2026价格预测

2026年服务器内存价格预计呈现显著上涨趋势，全年平均涨幅最高可达144%，且价格将在高位企稳。

根据多家机构预测，2026年服务器内存价格将经历两轮快速上涨：

存储芯片短缺可能延续至2027年前，形成卖方主导的市场格局。 此外，地缘政治风险（如关税政策）可能进一步加剧供应紧张，而手机、电脑等终端产品成本已因内存涨价承压，未来或面临更大成本压力。

现在手机内存为什么价格涨了这么多

2026年手机内存价格大幅上涨，主要受AI产能挤占、行业涨价周期、结构性缺货等多重因素推动，涨势仍在持续。 需求激增抢占产能：全球AI大模型训练与推理需求爆发式增长，服务器对高性能HBM（高带宽内存）需求暴涨，存储生产厂商纷纷将产能转向AI相关内存产品，大幅压缩了消费级手机内存的供应，造成供应短缺。 2.进入内存涨价周期：内存市场自2025年下半年步入涨价周期，2026年第一季度，DRAM（手机运行内存）价格环比上涨超50%，NAND闪存（手机存储）价格环比上涨超90%。 3.存储芯片结构性缺货：AI产能挤占引发手机存储芯片结构性缺货，近三个月手机存储芯片现货价累计涨超300%，1TB闪存成本翻两倍多，内存价格波动周期缩短至历史最短。 行业预测显示2026年第二季度，手机常用的LPDDR5X内存平均销售价格预计环比暴涨78%-83%，LPDDR4X内存将环比上涨70%-75%；相比2025年第四季度，短短半年内手机内存价格增长近2倍。 国际数据公司（IDC）预测存储供应挑战将在整个2026年持续并可能延续至2027年，英特尔首席执行官陈立武则表示这种紧张局面或到2028年才会缓解。

2025年内存卡涨价原因

2025年内存卡涨价主要由需求爆发、产能紧缺与渠道囤货三大核心因素共同推动。 1.需求爆发式增长：AI产业2025年爆发式增长，AI大模型与高效能运算带动AI服务器对内存卡等存储产品的需求量大增，AI训练与推理规模扩大推高了存储产品绝对出货量；同时春节旅行热、自媒体创作刚需也推高了消费级存储卡的采购量。 2.产能断崖式紧缺（一）厂商减产：三星、美光等自2025年起大幅减产NAND与DRAM，行业库存跌至五年低位，推动闪存价格暴涨。 （二）产能结构性倾斜：存储芯片制造依赖的无尘室空间扩张缓慢，产能爬坡受限；厂商将先进制程优先分配给利润更高的企业级存储（如高带宽内存HBM），导致消费电子领域所需的运行内存DRAM和NAND闪存供应持续吃紧，消费级内存卡产能被挤压。 3.渠道囤货加剧涨价：不少经销商、代理商跟风囤货锁价，进一步放大了普通消费市场的产品流通短缺，推高了最终涨价幅度。